SmCo/Cr磁性薄膜的工艺与性能

• 作者: Hu Yongshi Li Zuoyi Lin Gengqi Wang Xiang 李佐宜 林更琪 王翔 胡用时
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 矫顽力SmCo(Al Si)/Cr薄膜磁性能磁控溅射
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TQ58
• 字数: 2046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2001.02.004

摘要

通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介 质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明，Sm含量在31.6％ atm,Cr缓冲层为66 nm， Sm(CoAlSi)5磁性层为30 nm等条件下，制得的Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力(Hc)为187.8 kA/ m(2.36 kOe)，矩形比( S=Mr/Ms)≈0.94；在500℃保温25 min退火后，矫顽力(Hc)达1042.5 kA/m(13.1 kOe)，矩形比(S)≈O.92。