Cu底层对SmCo薄膜磁性能的影响

• 作者: 崔增丽 张峰 杨晓非 胡曾 董凯峰 黄致新
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cu底层 磁控溅射 SmCo薄膜 矫顽力
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 543-545
• 页数: 3页
• 分类号: TM273
• 字数: 1626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1190.2007.04.016

摘要

通过多靶射频磁控溅射系统在玻璃基片上制备了SmCo/Cu磁性薄膜.采用控制变量法优化了磁性层溅射工艺参数,制备出了矫顽力高达2400 Oe的溅射态SmCo面内磁化膜;通过控制溅射Cu底层时的基片温度,薄膜磁化方向有从面内向垂直方向转变的趋势,并制备出矫顽力达到6215 Oe的垂直面内方向的SmCo/Cu薄膜;利用扫描隧道显微镜(STM)分析SmCo薄膜在不同温度下的表面形貌发现,150℃时薄膜的晶粒尺寸较小有利于改善薄膜磁性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄致新	华中师范大学物理科学与技术学院	104	350	10.0	14.0
2	张峰	华中师范大学物理科学与技术学院	10	72	3.0	8.0
3	胡曾	华中师范大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
4	崔增丽	华中师范大学物理科学与技术学院	5	5	1.0	2.0
5	董凯峰	华中科技大学电子科学与技术系	3	5	1.0	2.0
6	杨晓非	华中科技大学电子科学与技术系	69	652	12.0	24.0