一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

• 作者: 何捷 朱臻 李梦雄 洪志良 王涛
• 来源期刊: 复旦学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 温度补偿 温度系数(γTC) 电 源抑制比
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 86-90
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 2388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2001.01.016

摘要

介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源，采用了3.3 V，0.35 μm，N阱，CMOS工艺. 通 过Spectres和HSpice的仿真，它具有6×10-6 K-1的温度系数和2.2 mV/V的电 源抑制比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪志良	复旦大学电子工程系	161	1248	18.0	29.0
2	王涛	复旦大学电子工程系	84	468	10.0	19.0
3	朱臻	复旦大学电子工程系	14	256	7.0	14.0
4	何捷	复旦大学电子工程系	15	340	7.0	15.0
5	李梦雄	复旦大学电子工程系	3	114	2.0	3.0