退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响

• 作者: 亓震 叶志镇 王亚东 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相沉积 锗硅碳三元合金 热稳定性 退火
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 291-293
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.04.008

摘要

采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高的退火温度下(950 ℃或以上),Si1-x-yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀,减弱了应变的补偿作用,从而增大了合金中的应变,显示出不同于Si1-xGex的弛豫行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇		155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉		74	719	14.0	24.0
3	黄靖云		51	610	12.0	23.0
4	亓震		6	11	2.0	2.0
5	王亚东		12	69	4.0	8.0