多晶硅薄膜的表面处理工艺

• 作者: JOHNNY K O Sin 徐重阳 曾祥斌 饶瑞
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: NH3 N2O 表面钝化 p-Si TFT
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 693-696
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1724字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.020

摘要

采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	饶瑞	华中科技大学电子科学与技术系	9	64	6.0	8.0
2	徐重阳	华中科技大学电子科学与技术系	85	592	12.0	19.0
3	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
4	JOHNNY K O Sin	香港科技大学电气与电子工程系	2	17	2.0	2.0