半导体器件中的量子隧道效应

• 作者: 齐吉泰
• 来源期刊: 高师理科学刊
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体 隧道效应 势垒
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O471.1
• 字数: 3769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9831.2002.02.008

摘要

利用隧道效应器件的量子力学理论,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐吉泰	绥化师范专科学校物理系	3	11	2.0	3.0