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摘要:
采用RF平面磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究.结果表明:在纯氧中高温退火(600℃)是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法.
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文献信息
篇名 应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜
来源期刊 湖北大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 磁控溅射 氧化锌薄膜 声表面波 退火
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目 物理学与电子技术
研究方向 页码范围 232-234
页数 3页 分类号 TN304.055
字数 2092字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-2375.2002.03.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 章天金 湖北大学物理学与电子技术学院 82 321 11.0 14.0
2 顾豪爽 湖北大学物理学与电子技术学院 86 386 10.0 14.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
氧化锌薄膜
声表面波
退火
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
湖北大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-2375
42-1212/N
大16开
武汉市武昌区友谊大道368号
38-45
1975
chi
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