低束流Nd3+注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

• 作者: 元美玲 徐飞 曾宇昕 王水凤 程国安 肖志松
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 Nd3+ 结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 377-380
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.04.013

摘要

采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物.测试了样品的光致荧光谱,在254nm(～5.0eV)光激发下获得了紫蓝光区(410～430nm)和红光区(746nm)荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大.746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁(4F7/2,4S3/2→4I9/2),讨论了注入层结构与荧光发射的相关性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程国安	北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束技术与材料改性重点实验室	28	204	9.0	13.0
2	王水凤	南昌大学物理系	15	55	4.0	6.0
3	元美玲	南昌大学物理系	15	103	5.0	10.0
4	徐飞	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	22	43	3.0	6.0
5	曾宇昕	南昌大学材料科学工程系	11	25	4.0	4.0
6	肖志松	北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束技术与材料改性重点实验室	8	10	2.0	2.0