一种结构调整后的DSOI器件

• 作者: 何平 林羲 江波 田立林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI DSOI MOSFET 器件结构 模拟
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 966-971
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.014

摘要

提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
2	何平	清华大学微电子学研究所	14	35	4.0	5.0
3	江波	清华大学微电子学研究所	6	6	2.0	2.0
4	林羲	清华大学微电子学研究所	3	21	3.0	3.0