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利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
作者:
卞松保
彭进
杨富华
胡冰
胡承勇
郑厚植
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
异质结
Γ-X混合
C-V特性
摘要:
利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化.这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实.如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts.同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子"读出"仍可以保持很快.
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相关基金
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内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
异质结
Γ-X混合
C-V特性
年,卷(期)
2002,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
361-364
页数
4页
分类号
TN304
字数
2245字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡冰
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
14
116
7.0
10.0
2
杨富华
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
49
227
9.0
14.0
3
郑厚植
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
11
126
2.0
11.0
4
卞松保
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
3
54
2.0
3.0
5
彭进
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
3
20
2.0
3.0
6
胡承勇
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
1
0
0.0
0.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(8)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1989(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1997(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
异质结
Γ-X混合
C-V特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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