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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
作者:
孔伟华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
直流磁控反应溅射
ITO
毒化现象
摘要:
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
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文献信息
篇名
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
来源期刊
无机材料学报
学科
工学
关键词
直流磁控反应溅射
ITO
毒化现象
年,卷(期)
2002,(5)
所属期刊栏目
简报
研究方向
页码范围
1083-1088
页数
6页
分类号
TF124
字数
2980字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.031
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孔伟华
西北稀有金属材料研究院宁夏特种材料重点实验室
1
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研究主题发展历程
节点文献
直流磁控反应溅射
ITO
毒化现象
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
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