退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

• 作者: 张通和 徐飞 易仲珍 曾宇昕 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 掺铒硅 快速退火 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 页码范围: 631-636
• 页数: 6页
• 分类号: O482.3
• 字数: 3113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.08.013

摘要

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达1021cm-3量级.XRD分析薄膜物相结构发现,退火温度升高将导致Er偏析.通过RHEED和AFM显微分析可得,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌.这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光.