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摘要:
提出了一种利用与CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术.通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是切实可行的.
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文献信息
篇名 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 逻辑电路 不挥发性 铁电薄膜
年,卷(期) 2002,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1201-1206
页数 6页 分类号 TN384
字数 2881字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.015
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研究主题发展历程
节点文献
逻辑电路
不挥发性
铁电薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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