线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究

• 作者: 何进 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件 界面陷阱 线性余因子差分法 电应力效应
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1108-1110
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.08.004

摘要

本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证.详细介绍了该方法的基本原理和实验实现,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系.该方法具有普适性,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0