单片化低压低功耗Si CMOS 运算放大器的实现

• 作者: 于奇 刘玉奎 唐林 李竞春 杜江锋 杨谟华 王向展 谭开洲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低压低功耗电路 运算放大器 AB类输出级结构
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN43
• 字数: 2239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.08.001

摘要

基于新型的折叠共栅共源PMOS差分输入级拓扑、轨至轨AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术特别考虑和EDA平台的实验设计与模拟仿真,并设计配置了先进的Si 2μm P阱硅栅CMOS集成工艺技术.已经得到一种具有VT = ±0.7 V、电源电压1.1～1.5 V、静态功耗典型值330 μW、75 dB开环增益和945 kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器.该运放可应用于ULSI库单元和诸多相关技术领域,其实践有助于Si CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步开发与交流.