镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的库仑阻塞现象

• 作者: 刘嘉瑜 吴良才 徐骏 戴敏 李伟 石建军 陈坤基 马忠元 鲍云 黄信凡
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 C-V 超薄氧化层 隧穿
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.006

摘要

采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒纳米结构,从nc-Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为65%和6nm.通过对该纳米结构的电容-电压(C-V)测量,研究了载流子的隧穿和库仑阻塞特性.在不同测试频率的C-V谱中观测到了由于载流子隧穿引起的最大电容值抬升现象.通过低温低频C-V谱,计算出该结构中nc-Si的库仑荷电能为57meV.