RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究

• 作者: 廖显伯 沈辉 艾斌
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 快速加热化学气相沉积 电学性能
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TK514
• 字数: 3649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.z1.012

摘要

利用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在高纯石英衬底上分别制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜,并利用XRD、SEM高阻Hall测量和光电导谱测量技术研究了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的本征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的择优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大改善.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率因而具有更好的电学性能.光电导谱则量结果表明所制备的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	艾斌	中国科学院广州能源研究所	4	274	3.0	4.0
5	沈辉	中国科学院广州能源研究所	50	891	14.0	29.0
6	廖显伯	中国科学院半导体研究所	31	378	7.0	19.0