温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响

• 作者: 尤佳毅 张磊 沈鸿烈
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快速热退火 多晶硅薄膜 结晶性能 电导率
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1186-1189,1210
• 页数: 5页
• 分类号: TB34|O484
• 字数: 2852字
• 语种: 中文

摘要

采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理.利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化；用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系；利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性.研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现.随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7％.同时,硼掺杂硅薄膜的电导率也由700℃退火的1.39×10-6 S·cm-1提高至1100℃退火的16.41 S·cm-1,增大了7个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	82	468	13.0	16.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
3	尤佳毅	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	12	2.0	3.0