衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响

• 作者: 周炳卿 张娜 张林睿 路晓翠
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 衬底温度 退火温度 薄膜表面 结构和光学性质
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TM23
• 字数: 3625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.11.009

摘要

通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术与退火处理制备多晶硅薄膜，研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得，考虑薄膜表面的质量，最佳的退火温度为635℃，衬底温度为225℃，在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm，光学带隙为1.5 eV。结果表明：衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高，晶化率的提高，光学带隙先减小后增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
2	张林睿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	16	48	4.0	5.0
3	路晓翠	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	2	5	2.0	2.0
4	张娜	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	15	8	2.0	2.0