Ta/NiFe和NiFe/Ta界面反应和"死层"现象的研究

• 作者: 于广华 司红 赵洪辰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层膜 界面反应 "死层" X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 88-90,139
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 2794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.02.005

摘要

Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta被广泛应用于磁电阻多层膜结构中.我们发现,在Ta/Ni81Fe19/Ta薄膜结构中,磁性"死层"的厚度大约为1.6±0.2 nm.用X射线光电子能谱和图谱拟合技术研究Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta的界面成分和化学状态发现,在两上界面处都发生了反应:2Ta+Ni=NiTa2,因此NiFe的有效厚度减少.利用这个反应也可以合理解释用分子束外延制备的自旋阀多层膜比用磁控溅射制备的自旋阀多层膜的"死层"更薄的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
2	司红		25	82	6.0	7.0
3	赵洪辰	中科院微电子中心	1	7	1.0	1.0