磁控溅射制备磁性多层膜中SiO2/Ta界面的研究

• 作者: 于广华 崔新发 王安荣 金建灵
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 SiO2/Ta界面 界面反应 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2002.02.001

摘要

磁性多层膜常用磁控溅射的方法制备,并且以金属Ta做为缓冲层.本研究利用这种方法在单晶硅基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨率XPS谱进行计算机谱图拟合分析.结果表明:磁控溅射这种高能量制膜技术导致了在SiO2/Ta界面处发生了化学反应:15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3,该反应使得界面有"互混层"存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.从本研究还可以看出XPS是表征磁性薄膜界面化学状态的一种有利工具.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
2	崔新发	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	4	11	2.0	3.0
3	金建灵	北京科技大学材料与工程学院测试中心	2	3	1.0	1.0
4	王安荣	北京科技大学材料物理系	2	3	1.0	1.0