Mg在BaTiO3瓷中抗还原机理研究

• 作者: 卢振亚 江涛 湛灿辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸钡瓷 抗还原机理 受主电离 施主电离
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.03.009

摘要

研究Mg在BaTiO3瓷中的抗还原作用.采用CO、CO2还原气氛中烧结制作不同含Mg量(摩尔分数为0.05%～0.25 %)BaTiO3瓷试样.实验结果表明含Mg的BaTiO3瓷比不含Mg的BaTiO3瓷体积电阻率高8～9数量级.试样XRD谱线计算,晶胞参数a,c随Mg含量的增加而增大,电子探针显示Mg均匀分布.显微结构分析推断,Mg既固溶于A位(MgBa)又固溶于B位(MgTi),杂质缺陷结构(MgTI)的受主电离复合还原气氛产生的氧缺位(VO)的施主电离,从而大大降低了施主电离的电子浓度.因此,MgTi的存在是BaTiO3瓷抗还原的本质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢振亚	华南理工大学电子材料与器件系	20	201	8.0	13.0
2	湛灿辉	华南理工大学电子材料与器件系	1	3	1.0	1.0
3	江涛	华南理工大学电子材料与器件系	18	107	6.0	10.0