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低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷
低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷
作者:
何新华
凌志远
张庆秋
欧瑞江
黄雯雯
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高频介质陶瓷
玻璃
低温烧结
介电性能
摘要:
对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究.实验结果表明:添加质量分数为5%~10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,εr = 58~76,tgδ≤ 3.3×10-4,αε= (329~472)×10-6/℃,ρν≥ 1012 Ω?cm.利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现:材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3 玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则.
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文献信息
篇名
低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
高频介质陶瓷
玻璃
低温烧结
介电性能
年,卷(期)
2003,(6)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
14-16
页数
3页
分类号
TM281+.2
字数
2184字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2003.06.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张庆秋
华南理工大学电子材料科学与工程系
5
43
3.0
5.0
2
凌志远
华南理工大学电子材料科学与工程系
17
110
6.0
10.0
3
何新华
华南理工大学电子材料科学与工程系
29
161
7.0
11.0
4
黄雯雯
华南理工大学电子材料科学与工程系
3
11
2.0
3.0
5
欧瑞江
华南理工大学电子材料科学与工程系
1
8
1.0
1.0
传播情况
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共引文献
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(25)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2005(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2006(5)
引证文献(2)
二级引证文献(3)
2007(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
2008(6)
引证文献(0)
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2009(3)
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引证文献(0)
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2014(1)
引证文献(0)
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2015(1)
引证文献(0)
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玻璃
低温烧结
介电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
期刊文献
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