厚胶光刻工艺技术

• 作者: 孙丽玲
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 厚胶光刻工艺 抗蚀剂 Ma-p100 曝光工艺 集成电路
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 37-38
• 页数: 2页
• 分类号: TN305.7

摘要

通过对Ma-P100正性厚胶光刻技术的研究，初步解决了厚胶工艺易出现的胶的均匀性问题，厚胶长时间曝光工艺，用普通曝光机获得了厚度为60μm，分辨率为20μm的厚胶图形。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙丽玲		3	0	0.0	0.0