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SU-8胶光刻工艺研究
SU-8胶光刻工艺研究
作者:
张立国
李以贵
杨帆
陈迪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SU-8胶
高深宽比
光刻
摘要:
SU-8胶是一种基于环氧SU-8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶.其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用.但是SU-8胶对工艺参数的改变非常敏感.本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间、曝光时间及显影时间进行了研究,发现前烘时间和显影时间是影响图形分辨率及高深宽比的最主要的参数.随后给出了200μm厚SU-8光刻胶的建议工艺条件:200μm/s甩胶,1h的95°C前烘,近紫外光(400nm)接触式曝光,95°C的中烘 30min,PGMEA中显影20min.另外对实验中实现的主要问题基片弯曲和光刻胶的难以去除作了一定的探讨,给出了合理化建议:对于基片弯曲可采用以下四种措施来降低,降低中烘的温度同时增加中烘的时间、用厚硅片来代替薄硅片、对于薄硅片在前烘后可用金刚刀切成4~8小片、适当的设计掩模板;对于光刻胶的去除用热丙酮泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合,能达到较好的效果.
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文献信息
篇名
SU-8胶光刻工艺研究
来源期刊
光学精密工程
学科
工学
关键词
SU-8胶
高深宽比
光刻
年,卷(期)
2002,(3)
所属期刊栏目
微纳技术
研究方向
页码范围
266-270
页数
5页
分类号
TN305.7
字数
3451字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1004-924X.2002.03.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨帆
上海交通大学微纳米科学技术研究院
104
906
20.0
25.0
2
陈迪
上海交通大学微纳米科学技术研究院
38
301
8.0
16.0
3
李以贵
上海交通大学微纳米科学技术研究院
19
120
7.0
10.0
4
张立国
上海交通大学微纳米科学技术研究院
2
7
1.0
2.0
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二级引证文献
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1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
SU-8胶
高深宽比
光刻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学精密工程
主办单位:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国仪器仪表学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1004-924X
CN:
22-1198/TH
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路3888号
邮发代号:
12-166
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
6867
总下载数(次)
10
总被引数(次)
98767
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
期刊文献
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