UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响

• 作者: 刘景全 张晔 张金娅 朱军 陈迪
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: UV-LIGA技术 SU-8胶 高深宽比微结构 倒角
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳加工与测试及封装技术
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: TN23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.157

摘要

基于UV-LIGA技术采用SU-8光刻胶制备了高深宽比微结构,最高深宽比达20:1.研究了改变光源的波长和曝光量对SU-8光刻胶成形的影响,揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律.从聚合度和聚合所得高分子结构两方面对该变化规律给出了合理的解释,并基于该变化规律提出了一种新的消除微结构倒角的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘景全	上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室	24	232	7.0	15.0