二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响

• 作者: 叶志镇 李嘉炜 李蓓 邵庆辉 黄靖云
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 Si基n-GaN 二次退火 界面固相反应
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23|TN2
• 字数: 1566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.01.004

摘要

采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法.结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
3	李蓓	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	51	4.0	7.0
4	邵庆辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	27	3.0	5.0
5	李嘉炜	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	6	2.0	2.0