用SPV法对影响硅片少子寿命因素的研究

• 作者: 卢立延 曹孜 杜娟
• 来源期刊: 世界有色金属
• 关键词: 硅片 单晶硅 少子 SPV法
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

随着IC工业的发展,对硅材料的质量提出了越来越高的要求.硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数.本文通过表面光电压法(APV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度是影响寿命及内部金属沾污的三个重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢立延		1	0	0.0	0.0
2	曹孜		4	0	0.0	0.0
3	杜娟		1	0	0.0	0.0