溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

• 作者: 李佐宜 武海顺 段静芳 许小红
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 铬底层 晶面取向 溅射参数 SmCo/Cr薄膜 矫顽力
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 561-564
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 1995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012

摘要

采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许小红	山西师范大学化学与材料科学学院	52	298	10.0	13.0
3	武海顺	山西师范大学化学与材料科学学院	126	524	11.0	16.0
4	李佐宜	华中科技大学电子科学与技术系	59	267	7.0	13.0
5	段静芳	山西师范大学化学与材料科学学院	7	46	4.0	6.0