晶体管、MOS器件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件 Electron 增强模式 compatible 浮体效应 INSULATOR BIPOLAR 电流增益 击穿电压 模型参数提取
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 18-19
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

【正】 Y2002-63302-108 0305089采用 CMOS 兼容技术的射频双极晶体管=RF bipolartransistors in CMOS compatible technologies[会,英]/Sun,I.-S.M.& Ng,W.T.//2001 IEEE HongKong Electron Devices Meeting.—108～111(E)Y2002-63306-180 03050900.1μm增强模式伪晶 InGaAs/InAlAs/InP 高电子迁移率晶体管=0.1μm enhancernent-mode pseudomorphicInGaAs/InAlAs/InP HEMT[会,英]/Grundbacher,R.& Lai,R.//2001 IEEE International Collference on In-dium Phasphide and Related Materials.—180～183(E)