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创新的ispXPLD器件
创新的ispXPLD器件
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摘要：
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基于ispXPLD的任意编码波形发生器的设计
可程控编码波形
移位寄存器阵列
ispXPLD器件
器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响
金属-氧化物-半导体
器件尺寸
辐照效应
MOS器件的ESD失效
金属氧化物半导体器件
静电放电模型
静电防护
电致发光器件中杂质态的引入对器件性能的影响
掺杂
掺杂浓度
电导率
发光效率
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期刊影响力
世界电子元器件
主办单位：
中国电子信息产业发展研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
1006-7604
CN：
11-3540/TN
开本：
16开
出版地：
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
邮发代号：
82-796
创刊时间：
1995
语种：
chi
出版文献量（篇）
5855
总下载数（次）
6
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