SiC Schottky结反向特性的研究

• 作者: 刘忠立 尚也淳 王姝睿
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC Schottky结 反向特性 隧穿电流
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 211-216
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.01.039

摘要

对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心	77	412	12.0	14.0
2	王姝睿	中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心	7	52	5.0	7.0
3	尚也淳	中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心	3	21	3.0	3.0