4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法

• 作者: 孙腾飞 张玉明 汤晓燕 袁昊 谢思亮
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 浮动结-结势垒肖特基二极管 外延结构 功率优值
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 721-725
• 页数: 5页
• 分类号: TN311.7
• 字数: 3227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201904.0721

摘要

研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法.提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度,进而设计出浮动结和表面结的最佳结构参数.否定了文献中认为浮动结位于器件中部为最佳设计的结论.仿真结果表明浮动结和表面结线宽比不仅影响器件导通特性,还会影响反向特性.浮动结线宽比在一定范围内会略微影响器件击穿电压,而表面结线宽比主要影响器件的反向泄漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	126	777	15.0	20.0
2	汤晓燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	24	144	7.0	11.0
3	孙腾飞	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	谢思亮	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	袁昊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	0	0.0	0.0