溅射法生长高度取向ZnO的实验研究

• 作者: 李燕 杨保和 熊英 陈希明
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 溅射 ZnO X衍射 PL谱 晶格匹配
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 174-177
• 页数: 4页
• 分类号: TN104.3|O484.4
• 字数: 1999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.004

摘要

采用直流磁控反应溅射法,在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜,并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究.结果表明N型(100)Si衬底上,ZnO(002)取向度最高,分析认为是由于N型(100)Si与ZnO(002)晶格匹配度高所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨保和	天津理工学院材料物理所	32	177	8.0	11.0
2	陈希明	天津理工学院材料物理所	34	136	7.0	9.0
3	李燕	天津理工学院材料物理所	4	18	2.0	4.0
4	熊英	天津理工学院材料物理所	1	11	1.0	1.0