Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究

• 作者: 何国荣 谢生 陈松岩
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 直接键合 红外透射谱 X射线光电子谱
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 372-375
• 页数: 4页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 2920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.05.012

摘要

通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合.采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在.X射线光电子谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络,且随着退火温度的升高,界面层Si-Si直接成键的密度也越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
2	谢生	厦门大学物理系	9	62	6.0	7.0
3	何国荣	厦门大学物理系	11	74	6.0	8.0