掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响

• 作者: 丛秀云 吐尔迪·吾买尔 崔志明 巴维真 张建 蔡志军 陈朝阳 陶明德
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 掺锰 热敏特性 正温度系数 负温度系数
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 23-24
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 1727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.06.009

摘要

采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200～4300K之间.