铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响

• 作者: 周步康 范艳伟 陈朝阳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: p型硅 n型硅 深能级杂质 Fe 电阻率 补偿度
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.07.003

摘要

采用电阻率为4.8Ω·cm的p型硅片和10Ω·cm的n型硅片,通过高温扩散法制备出了Fe掺杂的补偿硅材料.在室温避光条件下,测量样品电阻率p,并用XRD对扩散后的样品进行分析,研究了Fe掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响.结果表明:相对于n型硅材料,深能级杂质Fe掺杂对p型硅材料电阻率的影响更大,其Fe掺杂p型硅材料电阻率远大于Fe掺杂n型硅材料;当p型硅表面Fe扩散源浓度为1.74× 10-5 mol/cm2时,在1 200℃下扩散1h后,材料具有最大电阻率7 246Ω· cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范艳伟	中国科学院新疆理化技术研究所	9	57	4.0	7.0
7	周步康	中国科学院新疆理化技术研究所	1	3	1.0	1.0