电子元件包装用抗静电薄膜的制备

• 作者: 丁新更 吴春春 杨辉 陈良辅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 抗静电 薄膜 PEDT
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 信息材料及应用
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.07.013

摘要

采用聚乙烯二氧噻酚(PEDT)为导电物质,聚氨酯为主要成膜物质在包装材料(PP)表面制备电子元件包装用抗静电薄膜.随着w(导电材料)从8%增加到16%,膜的表面电阻从109Ω/□降低为107Ω/□,之后保持不变.当w(导电材料)大于24%时,表面电阻继续降低为106Ω/□.随着聚氨酯加入量的增加,薄膜的表面电阻升高,从106变为108Ω/□.聚氨酯含量的增加,使薄膜的强度先增加后降低.实验确定之理想配方为:w(PEDT)为12%,w(聚氨酯)为32.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	浙江大学纳米技术工程中心浙江大学硅材料国家重点实验室	356	3707	28.0	43.0
2	吴春春	浙江大学纳米技术工程中心浙江大学硅材料国家重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	丁新更	浙江大学纳米技术工程中心浙江大学硅材料国家重点实验室	33	411	9.0	19.0
4	陈良辅	浙江大学纳米技术工程中心浙江大学硅材料国家重点实验室	3	17	2.0	3.0