用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

• 作者: 封先锋 张群社 李留臣 沃立民 蒲红斌 陈治明 黄媛媛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCGe 热壁CVD 感应加热 温度场 有限元
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 712-716
• 页数: 5页
• 分类号: TP15
• 字数: 2216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.004

摘要

采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	黄媛媛	西安理工大学自动化与信息工程学院	4	22	2.0	4.0
3	李留臣	西安理工大学自动化与信息工程学院	25	153	8.0	11.0
4	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
5	封先锋	西安理工大学自动化与信息工程学院	22	106	7.0	9.0
6	张群社	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	71	5.0	8.0
7	沃立民	西安理工大学自动化与信息工程学院	1	15	1.0	1.0