掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响

• 作者: 冯博 吴春春 杨辉 陆文伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 锑锡氧化物 水热合成 掺杂比 热处理温度 晶粒粒度 导电性能
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 信息材料及应用
• 页码范围: 43-44,48
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.758
• 字数: 1686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.015

摘要

采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征.研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响.实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	浙江大学纳米科学与技术中心	356	3707	28.0	43.0