光子存储单元的光伏效应

• 作者: 卞松保 唐艳 李月霞 李桂荣 杨富华 胡冰 郑厚植
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光子存储 光伏效应 Ⅰ-Ⅴ特性
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 205-207
• 页数: 3页
• 分类号: O47
• 字数: 1960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.03.012

摘要

报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映.