ZnO薄膜的XPS价带谱研究

• 作者: 刘博阳 姜秀英 张源涛 李万程 杜国同 杨小天 赵佰军
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 XPS 价带谱
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 页码范围: 2078-2081
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2004.11.015

摘要

用MOCVD方法在Al2O3衬底c面生长ZnO薄膜, 用XPS对薄膜进行了测量.结果显示, 与O1s和Zn2p态相比, Zn3d态有更大的化学位移, 可用于更有效地分析ZnO薄膜变化; 随着Zn3d+Zn4s态和Zn3d态电子与O2p态电子耦合的增强, Zn3d态电子的结合能变大; 二乙基锌(DEZn)源温是影响ZnO成键的重要因素.