射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究

• 作者: 于国萍 何永华 曾志峰 魏正和
• 来源期刊: 武汉大学学报(理学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频溅射 SnO2纳米薄膜 表面形貌 气敏特性
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 55-59
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-8836.2004.01.013

摘要

采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析.结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响;薄膜晶粒粒径小于150 nm,且粒径随退火温度的升高而增大.采用Debye-Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径,分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因.经700 ℃的温度退火后,掺原子比Pd为2%和Sb为2%的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于国萍	武汉大学物理科学与技术学院	24	127	7.0	10.0
2	魏正和	武汉大学物理科学与技术学院	9	73	5.0	8.0
3	何永华	武汉大学物理科学与技术学院	4	20	3.0	4.0
4	曾志峰	武汉大学物理科学与技术学院	2	12	2.0	2.0