室温Si-玻璃直接键合技术研究

• 作者: 侯西云 娄迪 沈亦兵 白剑 黄腾超
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 室温 Si-玻璃直接键合(SGDB) 退火时间 诱导应力
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 512-515
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.05.002

摘要

将表面亲水性处理过的玻璃和Si片在室温、大气的环境下干燥,进行温度为150 ℃以下、时间为20～200 h的预键合.预键合后,Si和玻璃基片表面能有显著的提高,水分子和Si表面Si-OH原子团中的O原子连在一起,OH-团数量增加了许多,形成较多的H键.预键合的Si-玻璃基片在200 ℃下退火,消除由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.2基片的Si-OH间发生聚合反应,产生水及Si-O键,使得基片键合的表面能得到了更好的提高.测量了室温键合时间对Si-玻璃表面能力的影响以及退火时间对键合强度的影响.实验结果证明,这项技术对Si-玻璃器件的键合十分有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白剑	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	70	605	15.0	21.0
5	侯西云	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	26	426	11.0	20.0
6	黄腾超	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	16	91	7.0	9.0
7	沈亦兵	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	40	431	10.0	19.0
8	娄迪	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	4	25	3.0	4.0