化学气相反应法制备SiC涂层

• 作者: 刘兴昉 苏哲安 蒋建献 黄启忠
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 一氧化硅 碳化硅涂层 纳米晶须 化学气相反应法
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 906-910
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.07.024

摘要

采用化学气相反应法,以3种不同工艺在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并检测了其抗氧化性能.以工业用Si和辅助剂SiO2为原料,在高温、惰性环境中反应产生SiO蒸气,将其引入反应室与C/C复合材料在不同温度下进行气相反应,在试样表面生成一层致密的SiC涂层.X射线衍射分析表明:涂层是由β-SiC组成.从试样截面的扫描电镜可知:不同工艺制得的SiC涂层界面过渡带颗粒的微观形貌各异.经最优工艺制备的涂层过渡带很窄,有β-SiC纳米晶须生成,且其抗氧化性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建献	中南大学粉末冶金国家重点实验室	5	91	5.0	5.0
2	黄启忠	中南大学粉末冶金国家重点实验室	161	1430	20.0	30.0
3	苏哲安	中南大学粉末冶金国家重点实验室	57	375	11.0	16.0
4	刘兴昉	中南大学粉末冶金国家重点实验室	3	45	3.0	3.0