PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H)

• 作者: 史国华 张溪文 杜丕一 沈鸽 赵高凌 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅氧纳米复合薄膜 光致发光 等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 427-429
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.06.008

摘要

首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34eV)左右.通过红外光谱(FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构.发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高,认为薄膜的发光主要是由于跟氧有关的结构缺陷引起的.