半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布

• 作者: 刘彩池 唐蕾 徐岳生 杨新荣 王海云 郭华锋 魏欣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: SI-GaAs 位错 碳含量 能谱分析
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 544-546
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.026

摘要

通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳含量低于检测限.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	王海云	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
4	唐蕾	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	5	37	3.0	5.0
5	魏欣	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	6	18	2.0	4.0
6	杨新荣	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	2	4	1.0	2.0