InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

• 作者: 徐安怀 邹璐 陈晓杰 齐鸣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 异质结双极晶体管 InGaAs InP
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 516-518
• 页数: 3页
• 分类号: O47
• 字数: 1350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.018

摘要

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	34	145	8.0	9.0
2	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	94	7.0	8.0
3	陈晓杰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	14	2.0	3.0
4	邹璐	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	6	1.0	1.0