AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

• 作者: 沈波 褚君浩 郑有炓 郑泽伟 郭少令 陈敦军
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 调制掺杂 AlxGa1-xN/GaN 异质结构 二维电子气 迁移率 有效g因子
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 491-494
• 页数: 4页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011

摘要

通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚君浩		103	650	13.0	22.0
4	郭少令	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	9	33	3.0	5.0