氮气流量、基体温度对反应溅射(Ti,Al)N成膜影响

• 作者: 余志明 刘昕 尹登峰 杨莉 苏伟涛
• 来源期刊: 矿冶工程
• 学科: 物理学
• 关键词: (Ti,Al)N 直流磁控溅射 显微形貌 织构
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 80-82,85
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-6099.2004.05.023

摘要

采用反应直流磁控溅射的方法,通过控制基体温度和N2/Ar流量比,在WC-6%Co基体表面上成功地制备了(Ti,Al)N薄膜.用AFM、XRD、显微硬度测试仪对薄膜的显微形貌、成分、显微硬度进行了测试.结果表明,在N2/Ar流量比较低时薄膜存在明显的(Ti,Al)N的( 111)织构,随着N2/Ar流量比的增大,这种(111)织构逐渐变弱,薄膜显微形貌发生较明显的变化,显微硬度也随之变化; N2/Ar流量比超过某一门槛值时不能生成(Ti,Al)N;在一定范围内(250～400 ℃),温度对薄膜质量的影响不是很明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志明	中南大学材料科学与工程学院	80	689	15.0	21.0
2	尹登峰	中南大学材料科学与工程学院	45	401	10.0	19.0
3	杨莉	中南大学材料科学与工程学院	12	170	6.0	12.0
4	苏伟涛	中南大学材料科学与工程学院	3	31	3.0	3.0
5	刘昕	中南大学材料科学与工程学院	6	33	3.0	5.0